（原标题：当代场效应管之父开云体育，股东晶体管改进）

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天然第一个不错责任的 FET 直到 1945 年才出现，但这一思法早在近 20 年前就出现在朱利叶斯·埃德加·利利菲尔德（Julius Edgar Lilienfeld）的一项专利中。

尽管从未制造过物理原型，但朱利叶斯·埃德加·利利菲尔德在股东改日半导体时刻摧毁方面贯通了决定性作用。他于 1925 年提交的专利被凡俗接收为全国上第一个场效应晶体管 (FET) 的表面宗旨，而场效应晶体管是险些整个电子开发的要害组件。

量子表面家马克斯·普朗克的学生

利利菲尔德 1882 年出身于奥匈帝国伦贝格（现乌克兰利沃夫），在柏林弗里德里希威廉大学（现洪堡大学）攻读物理学，师从量子表面的要害东说念主物马克斯·普朗克。利利菲尔德于 1905 年得回博士学位。这一年不错说是物理学史上最具变革性的一年，阿尔伯特·爱因斯坦发表了一系列论文，从根柢上改革了东说念主们对空间、时辰、质料和能量的看法。

得回博士学位后，利利菲尔德运转在莱比锡大学物理参议所担任非毕生阐述。他早期的责任要点是真空放电的物理学，并很快运转发表干系辉光放电特点和高输出低压汞灯的论文。天然这项责任不是该参议所的方法，但利利菲尔德的责任得到了闻明德国物理学家奥托·维纳的支抓。

从 1910 年起，利利菲尔德对真空中金属电极之间的放电进行了报复的早期参议。他匡助细目了场电子辐射（即电子在电场下从固体名义逸出的经由）是一种私有的物理气候，他称之为“自电子辐射”。今天，这被称为场电子辐射。这些不雅察自后成为表面模子开发的基欢喜趣。

为 FET 创新铺平说念路的专利

1912 年至 1931 年间，利利菲尔德开发了多项专利。他的第一项专利阵势了一种 X 射线管，该管从热灯丝辐射的电子中产生 X 射线。1914 年，这项专利经过矫正，他央求了第二项专利，即伦琴射线管。

可是，利利菲尔德最为东说念主所知的可能是他的专利，该专利阵势了一种与当代 FET 格皮毛似的安设。该专利阵势了一种使用硫化铜半导体材料的三电极结构。具体来说，它驻扎阐明了：

两个轮廓远隔的金属电极之间酿成一层“单向导电”薄膜

位于两个电极之间的第三个电极用于施加静电力来按捺电流

利利菲尔德提议用硫化铜四肢半导体薄膜的符合化合物，并阵势了几种千里积能力，包括真空溅射。该安设表面上筹算为通过在导电固体两头之间设立第三电位来按捺两头之间的电流流动。

股东晶体管改进

天然由于材料律例，利利菲尔德无法制造出功能原型，但他的思法撑抓了现在的大部分晶体管时刻。

20 世纪 40 年代，贝尔实验室的科学家约翰·巴丁 (John Bardeen)、沃尔特·布拉顿 (Walter Brattain) 和威廉·肖克利 (William Shockley) 开发出第一批实用晶体管时，由于利利菲尔德先前的专利，他们在专利权方面遭遇了挑战。利利菲尔德的 FET 类器件迫使他们矫正筹算和能力。他的专利在他们的法律纠纷中被援用，并成为意会晶体管旨趣的早期蓝图。举例，利利菲尔德的表面展示了固态器件如安在莫得真空管的情况下放大和按捺电流。尽管材料和制造时刻花了几十年的时辰才赶上，但他的宗旨为实用晶体管的发展奠定了基础。

尽管利利菲尔德的孝顺在生前鲜为东说念主知，但他的孝顺却跟着晶体管时刻的创新而束缚扩大。如今，好意思国物理学会于 1988 年建设的尤利乌斯·埃德加·利利菲尔德奖旨在奖赏那些作念出紧要孝顺并在向公众传播科学方面发达出色的物理学家。

利利菲尔德于 1963 年 8 月归天，享年 81 岁。

https://www.allaboutcircuits.com/news/how-engineer-julius-edgar-lilienfeld-laid-groundwork-modern-fets/

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